一文读懂场效应管的分类、结构以及原理

admin2783104 admin2783104 | 时间:2017-5-9 2:38:1 | 0 views
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  场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管,是较新型的半导体材料,利用电场效应来控制晶体管的电流,因而得名。它只有一种载流子参与导电的半导体器件,是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。从参与导电的载流子来划分,它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。从场效应管的结构来划分,它有结型场效应管和绝缘栅型场效应管之分。

  N沟道结型场效应管的结构如下图所示,它是在N型半导体硅片的两侧各制造一个PN结,形成两个PN结夹着一个N型沟道的结构。两个P区即为栅极,N型硅的一端是漏极,另一端是源极。

  当VGS=0时,在漏、源之间加有一定电压时,在漏源间将形成多子的漂移运动,产生漏极电流。当VGS《0时,PN结反偏,形成耗尽层,漏源间的沟道将变窄,ID将减小,VGS继续减小,沟道继续变窄,ID继续减小直至为0。当漏极电流为零时所对应的栅源电压VGS称为夹断电压VGS (off)。

  N沟道耗尽型的结构和符号如下图(a)所示,它是在栅极下方的SiO2绝缘层中掺入了大量的金属正离子。所以当VGS=0时,这些正离子已经出反型层,形成了沟道。于是,只要有漏源电压,就有漏极电流存在。当VGS》0时,将使ID进一步增加。VGS《0时,随着VGS的减小漏极电流逐渐减小,直至ID=0。对应ID=0的VGS称为夹断电压,用符号VGS (off)表示,有时也用VP表示。

  N沟道增强型绝缘栅场效应管,结构与耗尽型类似。但当VGS=0 V时,在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。当栅极加有电压时,若VGS》VGS (th)时,形成沟道,将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压,就可以形成漏极电流ID。在VGS=0V时ID=0,只有当VGS》VGS (th)后才会出现漏极电流,这种MOS管称为增强型MOS管。

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