国内小批量MOSFET场效应管批发供应商

admin2783104 admin2783104 | 时间:2017-5-9 19:41:26 | 0 views
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  简单的数学分析表明,解决这个问题的最佳办法是选择小于1的电荷比Q/QGS1。防止C dv/dt导通的其他因素包括低驱动漏极(《1 欧姆)、具备低RG的FET设计、外置的G-S电容器和具备最低寄生效应和电压振铃的Q2封装。同步MOSFET Q2的导通电阻RDS(on) 及其封装,在C dv/dt导通方面具备同等的重要性。实际上,近几年来,MOSFET供应商对各种封装进行了大幅改进,使通态电阻变得很低并最大限度降低寄生效应。例如以7引脚D2PAK封装为例,相对于同等的标准D2PAK封装,在相同漏源电压VDS条件下,它的导通电阻降低0.4 mΩ,同时大幅改进了电流处理功能。采用7引脚D2PAK封装的典型代表是IRFS3004-7PPBF。该MOSFET的额定电压为40 V,导通电阻为1.4 mΩ,漏电流(ID)为240 A。同样的芯片采用传统的D2PAK封装,其通态电阻为1.8 mΩ,额定漏电流为195 A。其他改进的功率封装包括功率四方扁平无引脚封装(PQFN)和DirectFET等封装。PQFN封装具备多种变体。不过,与其他的封装不同,DirectFET未采用任何键合线和引线框,使封装电阻和寄生电感降至最低,如图4所示。寄生电感降低0.1 nH以下。唯一在封装电阻和电感方面与DirectFET接近的封装是MLP——PQFN的变体。性能最大化为进一步阐明上述的内容和更好地了解C dv/dt损耗对整个电损耗的影响,让我们用两个MOSFET(参数如表1所示)例说明。1号器件具备高通态电阻和低电荷比值,而2号器件是具备低通态电阻和高电荷比值的晶体管。将这两个器件插入同步压降转换器具备相同的Q1 MOSFET和1 MHz开关频率的同步FET插槽。输入电 压为14 V,输出电压为1.3 V。两个不同的同步FET的测量损耗如图7所示。从图7可以看到,在宽输出负载范围条件下,1号器件相对于2号器件的损耗更低。实际上,在10A负载条件下,1号器件的功耗比2号器件低0.72 W。整体而言,2号器件的功耗比1号器件高出约18%,这主要是由C dv/dt导通损耗造成的。其中的奥秘就在于,1号器件具备更低的栅漏电荷和电荷比,因此它具备更低的或不产生Cdv/dt损耗。由于负载电流对C dv/dt损耗的影响不大,因此在轻载条件下,功耗的变化基本无差别。

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