图解优游娱乐绝缘栅型场效应管

admin2783104 admin2783104 | 时间:2017-3-7 15:22:43 | 0 views
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  在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极,半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极,半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。

  (2) VGS0时,在Sio2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场,P区多子空穴而吸引少子电子。当VGS达到一定值时P区表面将形成反型层把两侧的N区沟通,形成导电沟道。

  (1)N沟道耗尽型:制造时在栅极绝缘层中掺有大量的正离子,所以即使在VGS=0时,由于正离子的作用,两个N区之间存在导电沟道(类似结型场效应管)。

  VGS = 0时,ID = 0电压小于零,所以只有当VGS 0时管子才能工作。VGS = 0时,ID = 0电压小于零,所以只有当VGS 0时管子才能工作。

  制造时在栅极绝缘层中掺有大量的负离子,所以即使在VGS=0 时,由于负离子的作用,两个P区之间存在导电沟道(类似结型场效应管)。制造时在栅极绝缘层中掺有大量的负离子,所以即使在VGS=0 时,由于负离子的作用,两个P区之间存在导电沟道(类似结型场效应管)。

  (1) 电压VT :在VDS为一固定数值时,能产生ID所需要的最小 VGS 值。(增强)

  (4) 极间电容 :漏源电容CDS约为 0.1~1pF,栅源电容CGS和栅漏极电容C约为1~3pF。

  在转移特性曲线上,gm 是曲线在某点上的斜率,也可由iD的表达式求导得出,单位为 S 或 mS。

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